[发明专利]集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置无效
申请号: | 201110449876.0 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN102492939A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 张峰;孙国胜;王雷;赵万顺;刘兴昉;闫果果;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积装置。该原子层沉积装置包括:薄膜生长室,在其相对的两侧面分别设置第一红外观察窗口和第二红外观察窗口;傅里叶红外光源,位于薄膜生长室的一侧,用于发射红外光束,红外光束通过第一红外观察窗口透射至位于薄膜生长室内部的样品表面;红外探测器,位于薄膜生长室的另一侧,用于收集经过样品表面后通过第二红外观察窗口射出的红外光束;分析系统,与红外探测器相连接,用于利用经过样品表面后通过第二红外观察窗口射出的红外光束判断原子层沉积的状态和/或反应物的残留。本发明原子层沉积装置实现了对沉积物的实时监测,可以给出是否进行了原子层沉积反应,以及反应残余物是否去除干净的准确信息,从而有利于使用者掌握实验的实时进展情况。 | ||
搜索关键词: | 集成 傅里叶变换 红外 原位 监测 系统 原子 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种原子层沉积装置,其特征在于,包括:薄膜生长室,在其相对的两侧面分别设置第一红外观察窗口和第二红外观察窗口;傅里叶红外光源,位于所述薄膜生长室的一侧,用于发射红外光束,所述红外光束通过所述第一红外观察窗口透射至位于薄膜生长室内部的样品表面;红外探测器,位于所述薄膜生长室相对于傅里叶红外光源的另一侧,用于收集经过所述样品表面后通过所述第二红外观察窗口射出的红外光束;分析系统,与所述红外探测器相连接,用于利用所述经过样品表面后通过第二红外观察窗口射出的红外光束判断原子层沉积的状态和/或反应物的残留。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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