[发明专利]一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法有效

专利信息
申请号: 201110449935.4 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN103184520A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 林泉;马英俊;张洁;李超;郑安生 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
主分类号: C30B29/42 分类号: C30B29/42;C30B15/00;C30B15/20
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 郭佩兰
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法,本方法包括:备料、装炉;抽真空、充气;升温化料;降温引晶;等径控制;收尾;出料等工序。本发明的优点是:由于本发明采用高压液封直拉法拉制出砷化镓晶体,极大地改善了砷化镓晶体残料的化学配比。同时,由于镓的氧化物密度小于砷化镓密度,在晶体生长过程中,镓的氧化物均分布在砷化镓晶体表面且呈突起状,因此通过简单的砂轮机打磨即可去除,可去除99%的氧化物。采用本发明处理砷化镓晶体残料,一个周期只需20小时,且不存在重复处理的问题,效率高操作简单。使得以前通常弃之不用的砷化镓残料重新投入拉晶,使砷化镓晶体残料的利用率达到95%以上。
搜索关键词: 一种 砷化镓 晶体 再利用 方法
【主权项】:
一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法,其特征在于:该方法采用高压液封直拉法拉制砷化镓晶体,它包括步骤:1)、备料、装炉:将经腐蚀清洗后的砷化镓晶体残料砸碎成小块,密排放入石英坩埚内,然后放入氧化硼覆盖剂,密封炉体;2)、抽真空,然后向炉内充入高纯氮气至0.8~1.5MPa;3)、升温化料:将温度升到1350~1550℃将砷化镓晶体残料熔化,并控制炉压在1.5~2.5MPa,以1~10转/分钟的速率转动籽晶杆,以1~20转/分钟的速率反方向转动坩埚杆;4)、降温引晶:调整温度,使籽晶接触熔体,当籽晶和熔体稳定接触30分钟后开始降温引晶,降温速率控制在0.05~1.5℃/min,当看到固液界面的固相长大时,开始提拉晶体,提拉速度控制在5~25mm/hr;并随着微分重量显示达到0.5~2.0g/min以上时逐步增加埚升到0.5~7mm/hr;5)、等径控制:利用微分重量控制方式控制晶体直径,当微分重量减小时适当降温,当微分重量增加时适当升温,控制微分重量显示在5~12g/min;6)、收尾:当晶体重量增加至投料量60~80%时,以0.1~1.5℃/分钟的速率开始升温,当微分重量逐渐减小,直至突然变负值时,停止埚转、埚升,并开始降埚直到回到引晶时的埚位,然后继续提拉晶体至离开氧化硼100mm以上停止,逐步降温,直至200℃时放气将炉膛内气压全部卸除;7)出料:将晶体从炉体内取出,去掉上面的覆盖剂,将砷化镓晶体表面突起的镓的氧化物用砂轮机打磨掉,后放入石英容器内,加入强酸加热去除表面的杂质及富镓,用去离子水冲净。
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