[发明专利]一种可监测刻蚀过程的等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201110449964.0 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187225A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;黄智林;徐朝阳;杨平 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/244 | 分类号： | H01J37/244;H01J37/305 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可监测刻蚀过程的等离子体处理装置，在基片外周围设置一移动环，在移动环上设置一通光孔，通过将通光孔的孔宽度和孔深度的比例范围限制在1∶4-3∶4之间，使得反应气体与待处理基片反应后的产物等离子体化后发出的光通过通光孔和侧壁上的监测窗口，被监测窗口外的光频谱分析仪接收和分析，获得反应产物的信息，可以监视基片的刻蚀过程，从而对反应进程有很好的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 刻蚀 过程 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种可监测刻蚀过程的等离子体处理装置，包括：一真空反应室，所述真空反应室包括一基座和一侧壁，所述基座上放置待处理基片，所述侧壁上设置有监测窗口，其特征在于：所述真空反应室还包括一移动环，所述移动环位于所述基座上方的基片外周围，所述移动环侧面设置有通光孔，所述通光孔和所述监测窗口大致位于一条直线，所述通光孔的孔宽度和孔深度的比例范围为1∶4‑3∶4。
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