[发明专利]保护元件和具有该保护元件的半导体器件无效
| 申请号： | 201110451216.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593176A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 巽孝明 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 武玉琴;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及保护元件和具有该保护元件的半导体器件。所述保护元件包括：源极区域和漏极区域，其形成在半导体层中；栅极，其形成在所述半导体层上，在所述栅极和所述半导体层之间夹着栅极绝缘膜；源极，其连接到所述源极区域的表面，并电接地；漏极，其连接到所述漏极区域的表面，并用于接收浪涌输入；以及第一二极管，其连接在所述源极和所述栅极之间。根据本发明，能够基于连接在栅极和源极之间的二极管的数量，改变电压Vt1的大小。而且，由于不需要额外的制造过程，所以能够通过MOS结构的普通制造过程，容易地制造保护元件。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 元件 具有 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于保护电路元件的保护元件，所述保护元件包括：源极区域和漏极区域，其形成在半导体层中；栅极，其形成在所述半导体层上，在所述栅极和所述半导体层之间夹着栅极绝缘膜；源极，其连接到所述源极区域的表面，并电连接到地；漏极，其连接到所述漏极区域的表面，并用于接收浪涌输入；以及第一二极管，其连接在所述源极和所述栅极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110451216.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池包
- 下一篇：具有高速射束操纵电磁体的X射线管
- 同类专利
- 专利分类
