[发明专利]TFT磁滞效应的建模及仿真方法无效
| 申请号： | 201110451288.0 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102708220A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 尚也淳;胡晋彬;吴大可 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于物理机制的TFT磁滞效应模型及仿真方法。在瞬态分析过程中，认为是器件内部陷阱对电荷的俘获和释放，会造成阈值电压的漂移，从而影响TFT的电特性，形成器件的磁滞现象。这种模型可用于对与界面态陷阱有关和与半导体晶界陷阱有关的磁滞现象进行分析。本发明还提供了一套把这种磁滞效应模型应用于电路仿真器的方法。应用这种模型，能对TFT的磁滞现象进行仿真，仿真结果能够反映当前所测量到的TFT磁滞现象。本发明所提出的模型及其仿真方法具有更广的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | tft 效应 建模 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种基于物理机制的TFT磁滞效应模型及仿真方法，其特征在于TFT的实际阈值电压Vth(t)由两部分构成：Vth(t)＝Vth0+ΔVth(t)。
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