[发明专利]一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法无效
| 申请号： | 201110451315.4 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102592006A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 尚也淳;程明厚;吴大可 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3 NQS模型完全一致。另外，这种NQS模型考虑了MOSFET所有端本征电荷的作用。和Bsim3 NQS模型相比，这种模型减少了电路仿真所消耗的内存，节约了仿真时间，它使得高频电路的瞬态分析更加精确。这种模型不仅能对强反型的器件进行瞬态仿真，而且还可对处于亚阈区MOSFET的衬底电流和栅电流进行准确分析。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 mosfet nqs 模型 电路 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种新型的MOSFET NQS模型，其特征在于基于电荷的弛豫时间近似，包括了所有MOSFET本征电荷Qd，Qg，Qs和Qb的NQS模型。
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