[发明专利]一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201110451514.5 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102522429A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;罗东向;邹建华;陶洪;兰林锋;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/441;H01L21/445 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 宫爱鹏 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用，包括以下步骤：(1)制作缓冲层；(2)在上述缓冲层上沉积栅极金属层；(3)使用阳极氧化的方法，在栅极金属层上制备栅绝缘层，其中栅极金属层中不需要沉积氧化膜的部分使用光刻胶进行保护；(4)将光刻胶去除；(5)将不需要的金属引线去除；(6)在栅绝缘层制备有源层；(7)根据所设计的薄膜晶体管结构，沉积并图形化源漏电极、像素电极和保护层或刻蚀阻挡层。该发明采用纯Al或Al合金作为栅极金属，使用阳极氧化的方法制备栅绝缘层。通过调整栅极金属成分，能改变栅绝缘层的性能，进而改善薄膜晶体管的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于金属氧化物的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在透明衬底上沉积SiO2或SiNx作为缓冲层；(2)在上述缓冲层上沉积金属单质或金属合金单层薄膜，并且图形化形成栅极金属层；(3)使用阳极氧化的方法，在栅极金属层上制备一层绝缘膜作为栅绝缘层，其中栅极金属层中不需要沉积氧化膜的部分使用光刻胶进行保护；(4)阳极氧化完毕后将光刻胶去除；(5)使用刻蚀方法将薄膜晶体管中不需要的金属引线去除；(6)在栅绝缘层上采用物理气相沉积制备金属氧化物薄膜，并将金属氧化物薄膜图形化，作为薄膜晶体管的有源层；(7)根据所设计的薄膜晶体管结构，沉积并图形化源漏电极、像素电极和保护层或刻蚀阻挡层。
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