[发明专利]一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法有效
申请号: | 201110451756.4 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102534666A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 谭毅;李亚琼;李佳艳;李超超;武深瑞;刘瑶 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C25C3/06 | 分类号: | C25C3/06;C25B1/00 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 徐淑东 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于硅和铝提纯的技术领域。一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法,具体步骤如下:(1)合金精炼提纯:采用合金精炼法对金属铝和冶金硅的混合原料进行熔炼,去除冶金硅中的杂质硼,从而得到铝硅合金;(2)电解分离:铝硅合金作为阳极,不锈钢作为阴极,低温熔盐作为电解液,进行恒电流电解,阳极富集的阳极泥为多晶硅,阴极富集铝;(3)后处理:将阳极富集的多晶硅进行破碎、酸洗除杂、去离子水清洗、过滤和干燥,获得低硼的多晶硅,将阴极富集的铝进行清洗、干燥获得高纯铝。本发明有效去除冶金硅中的杂质硼,其提纯效果好,环保效益高。铝的回收利用率达到93%以上,纯度达到99.999%以上。 | ||
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【主权项】:
一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法,其特征在于,具体步骤如下: (1)合金精炼提纯:采用合金精炼法对金属铝和冶金硅的混合原料进行熔炼,去除冶金硅中的杂质硼,从而得到铝硅合金;(2) 电解分离:铝硅合金作为阳极,不锈钢作为阴极,低温熔盐作为电解液,进行恒电流电解,阳极富集的阳极泥为多晶硅,阴极富集铝;(3)后处理:将阳极富集的多晶硅进行破碎、酸洗除杂、去离子水清洗、过滤和干燥,获得低硼的多晶硅,将阴极富集的铝进行清洗、干燥获得高纯铝。
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