[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110452030.2 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102646715A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 成军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括互不相邻的第一过渡区和第二过渡区以及所述第一过渡区和第二过渡区之间的沟道区；以及所述第一过渡区和所述第二过渡区上的源电极层和漏电极层，其中，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率低于所述沟道区的电阻率，并且所述第一过渡区与所述源电极层之间形成欧姆接触，所述第二过渡区与所述漏电极层之间形成欧姆接触。本发明还提供了一种薄膜晶体管的制造方法。采用上述技术方案，提高了薄膜晶体管的稳定性和开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括互不相邻的第一过渡区和第二过渡区以及所述第一过渡区和第二过渡区之间的沟道区；以及所述第一过渡区和所述第二过渡区上的源电极层和漏电极层；其中，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率低于所述沟道区的电阻率，并且所述第一过渡区与所述源电极层之间形成欧姆接触，所述第二过渡区与所述漏电极层之间形成欧姆接触。
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