[发明专利]一种晶硅太阳能电池的刻槽方法

摘要

本发明涉及一种晶硅太阳能电池的刻槽方法，其特点是，包括如下步骤：(1)在沉积氮化硅膜层后的硅片表面印刷一层湿膜，厚度为5-25um，掩膜涂料图形并烘干，该图形掩盖住硅片表面无需电极部分，露出硅片表面需要刻槽的部分；(2)将等离子产生装置的气流打开，控制流量为2-10L/MIN，待气体产生辉光放电后，将硅片放入，正面朝上，放置20s-5min取出；(3)然后将腐蚀后的硅片浸入浓度质量分数为1-25％的NaOH或1-25％的KOH溶液中，加热到30-70℃进行刻槽，刻蚀槽的深度5～15um，刻槽完成后利用去离子水将硅片表面残留的杂质及碱液清洗烘干。本发明方法节省了工艺步骤，提高了经济效益。

主权项

一种晶硅太阳能电池的刻槽方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)、在沉积氮化硅膜层后的硅片表面印刷一层湿膜，厚度为5‑25um，掩膜涂料图形并烘干，该图形掩盖住硅片表面无需电极部分，露出硅片表面需要刻槽的部分；(2)、将等离子产生装置的气流打开，控制流量为2‑10L/MIN，待气体产生辉光放电后，将硅片放入，正面朝上，放置20s‑5min后取出；(3)、然后将腐蚀后的硅片浸入浓度质量分数为1‑25％的NaOH或1‑25％的KOH溶液中，加热到30‑70℃进行刻槽，刻蚀槽的深度5～15um，刻槽完成后利用去离子水将硅片表面残留的杂质及碱液清洗，然后烘干即可。