[发明专利]一种磷化镓单晶拉制过程中再熔接的方法有效

专利信息
申请号: 201110452389.X 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN103184511A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 马英俊;林泉;张洁 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/44
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 郭佩兰
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种磷化镓单晶拉制过程中再熔接的方法,它包括以下步骤:1).当碰舟或粘舟情况发生后立即停止晶升、埚升;2).用0.5~5℃/min的速率升温,观察微分重量和浮舟转速变化情况;3).当微分重量显示小于1.2~2.0g/min,停止升温;4).当浮舟转速稳定在3.0~5.0秒/转时,将晶体向下回插1~5mm,然后稳料30分钟;5).稳料后,将晶体提拉速度逐渐增加为3~15mm/hr开始提拉,同时将埚升增加至0.3~1.5mm/hr继续拉晶,晶体再熔接过程结束。本发明的优点是:采用本方法操作简单,可有效减少碰舟或粘舟导致单晶变为多晶的几率,从而提高磷化镓单晶成品率。
搜索关键词: 一种 磷化 镓单晶 拉制 过程 熔接 方法
【主权项】:
一种磷化镓单晶拉制过程中再熔接的方法,其特征在于:它包括以下步骤:1).当碰舟或粘舟情况发生后立即停止晶升、埚升;2).用0.5~5℃/min的速率升温,观察微分重量和浮舟转速变化情况;3).当微分重量显示小于1.2~2.0g/min,停止升温;4).当浮舟转速稳定在3.0~5.0秒/转时,将晶体向下回插1~5mm,然后稳料30分钟;5).稳料后,将晶体提拉速度逐渐增加为3~15mm/hr开始提拉,同时将埚升增加至0.3~1.5mm/hr继续拉晶,晶体再熔接过程结束。
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