[发明专利]非易失性存储器件的编程方法有效
| 申请号： | 201110453269.1 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102543192A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张俊锡;郭东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在根据示例实施例的、对包括多个存储多比特数据的多电平单元的非易失性存储器件的编程方法中，执行最低有效位(LSB)编程操作，以对多个多电平单元中的多比特数据的LSB进行编程。执行最高有效位(MSB)编程操作，以对多个多电平单元中的多比特数据的MSB进行编程。为了执行MSB编程操作，对多个多电平单元当中待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元执行MSB预编程操作，并且执行MSB主编程操作，以将多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的多个目标编程状态。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的编程方法，该非易失性存储器件包括多个存储多比特数据的多电平单元，该方法包括：执行对多个多电平单元中的多比特数据的最低有效位LSB进行编程的LSB编程操作；以及执行对多个多电平单元中的多比特数据的最高有效位MSB进行编程的MSB编程操作，其中，执行MSB编程操作包括：对多个多电平单元当中的、待被编程到多个目标编程状态当中的最高目标编程状态的第一多电平单元执行MSB预编程操作；以及执行将多个多电平单元编程到与多比特数据相对应的多个目标编程状态的MSB主编程操作。
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