[发明专利]一种纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池及其制备方法有效
申请号: | 201110453335.5 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN102569508A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 任山;李立强;刘珠凤;李明;洪澜 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;C23C14/22;C23C14/06;C23C14/18 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈燕娴 |
地址: | 510275 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种CIGS纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池的制备方法。该方法包含步骤:采用气-固反应方法生长大面积硫化亚铜或硫化铜纳米线阵列,再通过物理气相沉积及热处理方法转变为CIGS纳米线阵列。半导体纳米线阵列的成分、相结构和能带结构可以通过控制沉积元素种类、沉积顺序、沉积工艺及后期处理等过程进行调节,从而制备出不同结构和性能的太阳能光伏电池。该电池能减小对光的反射,增大对光的吸收,同时还可增大载流子产生的几率,减少空穴和电子复合的几率,实现光电转换效率的大幅提高。本发明成本低,制备过程可控,制备的纳米线阵列结构分布均匀,能够实现大面积且光电转换效率较高的纳米结构薄膜太阳能光伏电池的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 阵列 结构 薄膜 太阳能 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池的制备方法,其特征在于:该方法通过在气固反应方法制备的硫化亚铜或硫化铜纳米线阵列的基础上,结合物理气相沉积方法及热处理方法制备铜铟镓硒纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的