[发明专利]修正布局图案的方法以及制作光掩膜的方法有效
申请号: | 201110453952.5 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN103186031B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 蔡振华;黄家纬 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/72;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种修正布局图案的方法以及制作光掩膜的方法。修正布局图案的方法包括下列步骤。提供一第一布局图案以及一第二布局图案。第一布局图案包括一第一导线图案,第二布局图案包括至少一接触孔图案,且接触孔图案与第一导线图案至少部分重叠。提供一对位误差值。通过一电脑系统检测接触孔图案与第一导线图案间的距离是否小于对位误差值。自接触孔图案与第一导线图案间距离小于对位误差值的一对边扩大接触孔图案以取得一第一修正后接触孔图案。 | ||
搜索关键词: | 修正 布局 图案 方法 以及 制作 光掩膜 | ||
【主权项】:
一种修正布局图案的方法,包括:提供一第一布局图案与一第二布局图案,其中该第一布局图案包括一第一导线图案,该第二布局图案包括至少一接触孔图案,且该接触孔图案与该第一导线图案至少部分重叠;提供一对位误差值;通过一电脑系统检测该接触孔图案与该第一导线图案间的距离是否小于该对位误差值;自该接触孔图案与该第一导线图案间距离小于该对位误差值的一对边扩大该接触孔图案以取得一第一修正后接触孔图案;提供一第三布局图案,其中该第三布局图案包括第二导线图案与第三导线图案,且该接触孔图案与该第二导线图案至少部分重叠;提供一临界间距;通过该电脑系统检测该第一修正后接触孔图案与该第三导线图案间的一距离是否小于该临界间距;以及自该第一修正后接触孔图案与该第三导线图案间距离小于该临界间距的一边缩小该第一修正后接触孔图案以取得一第二修正后接触孔图案,其中该第二修正后接触孔图案与该第三导线图案间的距离大于或等于该临界间距。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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