[发明专利]具有导电凸块的半导体装置、封装结构及制法有效

专利信息
申请号: 201110455022.3 申请日: 2011-12-30
公开(公告)号: CN103137581A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 程吕义;邱启新;邱世冠 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种具有导电凸块的半导体装置、封装结构及制法,该具有导电凸块的半导体装置,包括:表面上形成有焊垫的衬底;以及形成于该焊垫上的导电凸块,其中,该导电凸块具有连通至其顶面及侧边的凹部,以借其于进行焊接制程时,容纳部分焊料以控制导电凸块与外部接点的间距,并可避免发生空焊的问题。
搜索关键词: 具有 导电 半导体 装置 封装 结构 制法
【主权项】:
一种具有导电凸块的半导体装置,包括:衬底,具有多个焊垫;以及多个导电凸块,其底面形成于该焊垫上,且各该导电凸块的顶面形成有至少一凹部,该凹部还连通至该导电凸块侧边。
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