[发明专利]具有导电凸块的半导体装置、封装结构及制法有效
申请号: | 201110455022.3 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN103137581A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 程吕义;邱启新;邱世冠 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有导电凸块的半导体装置、封装结构及制法,该具有导电凸块的半导体装置,包括:表面上形成有焊垫的衬底;以及形成于该焊垫上的导电凸块,其中,该导电凸块具有连通至其顶面及侧边的凹部,以借其于进行焊接制程时,容纳部分焊料以控制导电凸块与外部接点的间距,并可避免发生空焊的问题。 | ||
搜索关键词: | 具有 导电 半导体 装置 封装 结构 制法 | ||
【主权项】:
一种具有导电凸块的半导体装置,包括:衬底,具有多个焊垫;以及多个导电凸块,其底面形成于该焊垫上,且各该导电凸块的顶面形成有至少一凹部,该凹部还连通至该导电凸块侧边。
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