[发明专利]多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层有效
| 申请号： | 201110455432.8 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103506263A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 高世超;陈立新;冯文宏;张运峰;王丙宽 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D5/08;B05D1/02;B05D3/00;C01B33/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，包括将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合，形成乳浆状溶液；将所述溶液雾化，并喷涂至坩埚内壁，自然干燥后形成氮化硅涂层。本发明提供的多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合后形成乳浆状溶液，混合好的溶液经过雾化后，喷涂到坩埚的内壁上，喷涂完毕后，坩埚内壁上形成一层氮化硅的混合溶液薄膜，水分蒸发完毕后，由混合溶液形成的薄膜层干燥完毕，坩埚表面形成结构致密的氮化硅层。喷涂完毕后不需要对坩埚进行焙烤，自然状态下即可完成坩埚表面的干燥，去除了多晶硅坩埚喷涂后的烘干工艺，从而提高工作效率。本发明还提供了一种氮化硅涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 坩埚 喷涂 烘干 方法 氮化 涂层 | ||
【主权项】：
一种多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法，其特征在于，包括步骤：1)将氮化硅、去离子水和硅溶胶混合，形成乳浆状溶液；2)将所述溶液雾化，并喷涂至坩埚内壁，自然干燥后形成氮化硅涂层。
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