[发明专利]一种半导体纳米材料器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201110455639.5 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187249A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;张广宇;时东霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/223;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 郭海彬;范晓斌 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体纳米材料器件及其制作方法，制作方法包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述轻掺杂半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四，去除所述过渡层的未被所述电极覆盖的区域；步骤五，进行半导体纳米材料器件的后续加工。本发明采用在低掺杂的半导体材料表面沉积高掺杂的过渡层来减小材料与金属电极之间的接触，之后去除电极之外的高掺杂层，既保证了较小的接触电阻，同时也消除了高掺杂层对器件的影响，使器件的性能有很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 材料 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米材料器件的制作方法，其特征在于，包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四，去除所述过渡层的未被所述电极覆盖的区域；步骤五，进行半导体纳米材料器件的后续加工。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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