[发明专利]一种有机磁敏二极管无效
申请号: | 201110455640.8 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187521A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 彭应全 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L43/10 | 分类号: | H01L43/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 730000 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明提出了一种有机磁敏二极管,属于微电子器件与传感器技术领域,有望在磁场测量和探测方面得到广泛应用。其结构为铟锡氧化物(ITO)/酞菁铜(CuPc)或苝四甲酸二酐(PTCDA)/Al。这种有机磁敏二极管具有磁致电阻效应,其磁致电阻的大小随外加磁场的增强而增大,其中以PTCDA为有机层的器件(PTCDA器件)的磁致电阻为负,而以CuPc为有机层的器件(CuPc器件)的磁致电阻为正。在室温下,外加磁场为100mT时,PTCDA器件和CuPc器件的磁致电阻可分别达到-30%和20%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 二极管 | ||
【主权项】:
一种有机磁敏二极管,其特征在于它由镀有铟锡氧化物(ITO)薄膜(阳极)的衬底、有机半导体薄膜和Al薄膜(阴极)组成。
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