[发明专利]铟镓锌氧化物(IGZO)纳米粉体及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201110455651.6 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103130493A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周力行;周育贤;杨智超 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/626 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铟镓锌氧化物(IGZO)纳米粉体，包括：InGaZnO4晶体结构以及微量元素，其中该InGaZnO4晶体结构如下式所示：x(In2O3)-y(Ga2O3)-z(ZnO)，其中，x∶y∶z＝1∶1∶0.5-2，以及该微量元素包括硼(Boron)和/或铝(Aluminum)，含量介于约100-1000ppm。本发明亦提供一种铟镓锌氧化物(IGZO)纳米粉体的制备方法与其所制备的溅镀用靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓锌 氧化物 igzo 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种铟镓锌氧化物(IGZO)纳米粉体，包括：一InGaZnO4晶体结构以及一微量元素，其中该InGaZnO4晶体结构如式(I)所示：x(In2O3)‑y(Ga2O3)‑z(ZnO) (I)其中，x∶y∶z＝1∶1∶0.5‑2，以及该微量元素包括硼和/或铝，含量介于约100‑1000ppm。
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