[发明专利]图像传感器有效
| 申请号： | 201110455691.0 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102629614A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 慎宗哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜盛花;陈源 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器。该图像传感器包括：具有光接收区域的半导体层；以及被插入到所述半导体层内的栅电极；其中，所述光接收区域包括下部杂质区域、上部杂质区域以及被布置在所述下部杂质区域与所述上部杂质区域之间的沟道区域，所述沟道区域具有与所述下部杂质区域和所述上部杂质区域不同的导电类型，并且，所述栅电极被插入到所述沟道区域内，以便具有围绕所述上部杂质区域的闭环形状。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：具有光接收区域的半导体层；以及被插入到所述半导体层内的栅电极；其中，所述光接收区域包括下部杂质区域、上部杂质区域以及被布置在所述下部杂质区域与所述上部杂质区域之间的沟道区域，其中，所述沟道区域具有与所述下部杂质区域和所述上部杂质区域不同的导电类型，并且，所述栅电极被插入到所述沟道区域内，以便具有围绕所述上部杂质区域的闭环形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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