[发明专利]功率元件封装结构无效

专利信息
申请号: 201110455882.7 申请日: 2011-12-27
公开(公告)号: CN103187374A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 林孟辉 申请(专利权)人: 富鼎先进电子股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种功率元件封装结构,包含一基材、一源极层、一栅极层、一漏极层、一介电层、至少一漏极焊垫、至少一源极焊垫、至少一栅极焊垫、至少一漏极金属柱、至少一源极金属柱、以及至少一栅极金属柱。源极层与栅极层设置于基材的一第一表面。漏极层设置于基材的一第二表面。介电层覆盖源极层、栅极层及基材的第一表面。漏极焊垫、源极焊垫与栅极焊垫均设置于介电层上,并分别通过漏极金属柱、源极金属柱、与栅极金属柱各自连接至漏极层、源极层及栅极层。
搜索关键词: 功率 元件 封装 结构
【主权项】:
一种功率元件封装结构,其特征在于,包含:一基材,具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面;一源极层,设置于该基材的该第一表面;一栅极层,设置于该基材的该第一表面;一漏极层,设置于该基材的该第二表面;一介电层,覆盖该源极层、该栅极层及该基材的该第一表面;至少一漏极焊垫,设置于该介电层上;至少一源极焊垫,设置于该介电层上;至少一栅极焊垫,设置于该介电层上;至少一漏极金属柱,连接该漏极层与该至少一漏极焊垫;至少一源极金属柱,连接该源极层与该至少一源极焊垫;以及至少一栅极金属柱,连接该栅极层与该至少一栅极焊垫。
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