[发明专利]浮栅制造过程中氮化硅层的去除方法有效
| 申请号： | 201110456273.3 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187258A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种浮栅制造过程中氮化硅层的去除方法，包括：提供基底，所述基底包含衬底和衬底之上依次沉积的氧化硅层和氮化硅层，以及浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述氮化硅层分离成至少一个相互独立部分；去除部分氮化硅层；反复进行下述步骤，直到氮化硅层全部被去除：对去除部分氮化硅层后形成的凹槽侧壁进行部分去除，并再次去除部分氮化硅层。通过本发明的方法所形成的凹槽结构，其横截面呈开口大于底部宽度的倒梯形形状，该凹槽结构在随后的浮栅制造工艺中，向其中沉积多晶硅时，能够保证多晶硅完全填满整个凹槽，不在凹槽中留下空隙缺陷，保证了所制备的浮栅以及存储单元的质量，保障了存储单元的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 过程 氮化 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种浮栅制造过程中氮化硅层的去除方法，包括：提供基底，所述基底包含衬底和衬底之上依次沉积的氧化硅层和氮化硅层，以及浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构将所述氮化硅层分离成至少一个相互独立部分；去除部分氮化硅层；反复进行下述步骤，直到氮化硅层全部被去除：对去除部分氮化硅层后形成的凹槽侧壁进行部分去除，并再次去除部分氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
