[发明专利]硅通孔检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201110456998.2 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187398A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种硅通孔检测结构及检测方法，所述硅通孔检测结构包括：半导体基底，位于所述半导体基底内的硅通孔；位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层；位于所述层间介质层表面的检测金属层，所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。利用所述检测电压检测所述硅通孔和检测金属层之间的击穿电压，所述检测金属层的电阻值，从而判断所述硅通孔表面是否存在铜突起，检测敏感、方便。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔检测结构，其特征在于，包括：半导体基底，位于所述半导体基底内的硅通孔；位于所述半导体基底和硅通孔表面的层间介质层；位于所述层间介质层表面的检测金属层，所述检测金属层位于所述硅通孔的正上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110456998.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
