[发明专利]多栅极场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110457448.2 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187446A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管，其鳍状结构的中间区域包括硅层和硅锗层，所述硅层结构呈圆锥状或圆台状，所述硅锗层多个面包裹所述硅层，故能够对硅层产生较佳的应力作用，提高了鳍状结构中沟道区的迁移率，进一步提高了多栅场效应晶体管的性能。同时，针对所述多栅极场效应晶体管的结构，本发明还揭示了一种多栅极场效应晶体管的制作方法，利用倾斜旋转离子注入的方法，在鳍状结构的中间区域形成掺杂区和无掺杂区，并利用掺杂区和无掺杂区的刻蚀速率差距，从而刻蚀去除掺杂区，保留的无掺杂区形成硅层，接着利用外延生长的选择性沉积的特性，在硅层上形成硅锗层，形成鳍状结构的工艺简单且提高了多栅极场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅极场效应晶体管，包括：基底，其上形成有层间介质层；鳍状结构，位于所述层间介质层中，所述鳍状结构包括中间区域和两端区域；栅极，位于所述层间介质层中，并跨设于所述鳍状结构的中间区域的顶面和侧壁上；其特征在于，所述鳍状结构包括硅层和硅锗层，所述硅层呈圆锥状或圆台状，所述硅锗层包裹于所述硅层上，所述硅层和硅锗层中形成有沟道区。
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