[发明专利]半导体硅片的清洗方法有效
申请号: | 201110457590.7 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102513304A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 张晨骋 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | B08B3/10 | 分类号: | B08B3/10;B08B3/12 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体硅片的清洗方法,该清洗方法包括:使用清洗液对硅片表面进行旋转清洗,在所述硅片表面形成清洗液层;将振荡器移动至所述硅片的上方,使所述振荡器正常工作时所述清洗液层形成声波能量的波导;与所述振荡器连接的信号发生器向所述振荡器提供信号,信号发生器根据所述硅片旋转增加的圈数按比例提高所述信号发生器的频率。本发明提供的半导体硅片的清洗方法,在信号发生器向振荡器提供信号的过程中,信号发生器根据硅片旋转增加的圈数按比例提高信号发生器的频率,提高了声波能量在硅片表面分布的均匀性,进一步提升了清洗效果。 | ||
搜索关键词: | 半导体 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体硅片的清洗方法,其特征在于,包括:使用清洗液对硅片表面进行旋转清洗,在所述硅片表面形成清洗液层;将振荡器移动至所述硅片的上方,使所述振荡器正常工作时所述清洗液层形成声波能量的波导;与所述振荡器连接的信号发生器向所述振荡器提供信号,信号发生器根据所述硅片旋转增加的圈数按比例提高所述信号发生器的频率。
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