[发明专利]石墨烯纳米带电阻器及其制作方法有效
| 申请号： | 201110457614.9 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102522384A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;赵宇航;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯纳米带电阻器及其制作方法，包括以下步骤：在衬底上采用大马士革工艺形成下层铜互连，所述下层铜互连包括互连介质和金属铜；将带有SiC衬底的石墨烯薄膜键合到下层铜互连上，使石墨烯薄膜覆盖下层铜互连；去除大部分SiC衬底；刻蚀SiC衬底和石墨烯薄膜形成石墨烯纳米带，所述石墨烯纳米带具有第一图形和连接第一图形的第二图形，所述第一图形覆盖下层铜互连的金属铜；所述第二图形呈蛇形结构；在上述结构上采用大马士革工艺形成上层铜互连。本发明采用石墨烯纳米带并通过第二图形边缘结构的选取制作高精度阻值的电阻器。本发明与CMOS后道工艺完全兼容，可以嵌入到标准的CMOS工艺中，实现高精度电阻与其它有源、无源器件的芯片级集成。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 纳米 电阻器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯纳米带电阻器，包括石墨烯纳米带以及与石墨烯纳米带相连接的下层铜互连和上层铜互连，所述下层铜互连包括互连介质和金属铜，其特征在于：所述石墨烯纳米带具有第一图形和连接第一图形的第二图形，所述第一图形覆盖下层铜互连的金属铜；所述第二图形呈蛇形结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110457614.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直红外线节能灶头
- 下一篇：一种焊接过程中预热温度的检测方法
