[发明专利]刻蚀停止层及铜互连的形成方法有效
| 申请号： | 201110457640.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187266A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种刻蚀停止层的形成方法，包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层。本发明还涉及一种铜互连的形成方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有铜导电层；用氢气退火半导体衬底；用氢气和氦气等离子体预处理半导体衬底；用硅烷预处理半导体衬底；在半导体衬底表面沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层；在氮碳化硅主停止层上沉积介质层；形成贯穿介质层、氮碳化硅主停止层和碳化硅预停止层的通孔或沟槽；填充通孔或沟槽，形成铜互连。由于碳化硅预停止层能降低铜扩散，因此能阻止CuNX的形成，同时提高刻蚀停止层与铜互连的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 停止 互连 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种刻蚀停止层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上沉积碳化硅预停止层；在碳化硅预停止层上沉积氮碳化硅主停止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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