[发明专利]铜互连的制作方法有效
| 申请号： | 201110457762.0 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187363A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜互连的制作方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积第一刻蚀停止层和低介电常数薄膜；形成贯穿低介电常数薄膜和第一刻蚀停止层的多个通孔或沟槽；在通孔或沟槽内填充形成第一铜层；采用强氧化性的酸去除部分第一铜层，以在各个通孔或沟槽顶部形成第一开口；稀氢氟酸溶液各向同性刻蚀低介电常数薄膜，使各个第一开口横向扩大后形成第二开口；在第二开口内填充形成第二铜层，所述第二铜层与第一铜层构成铜互连；采用氢气等离子体去除低介电常数薄膜；在铜互连上沉积第二刻蚀停止层，在相邻铜互连之间形成空腔。本发明在铜互连之间形成空腔，从而降低介电常数，进而降低互连延迟，改善芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铜互连的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次沉积第一刻蚀停止层和低介电常数薄膜；形成贯穿低介电常数薄膜和第一刻蚀停止层的多个通孔或沟槽；在通孔或沟槽内填充形成第一铜层；采用强氧化性的酸去除部分第一铜层，以在各个通孔或沟槽顶部形成第一开口；稀氢氟酸溶液各向同性刻蚀低介电常数薄膜，使各个第一开口横向扩大后形成第二开口；在第二开口内填充形成第二铜层，所述第二铜层与第一铜层构成铜互连；采用氢气等离子体去除低介电常数薄膜；在铜互连上沉积第二刻蚀停止层，在相邻铜互连之间形成空腔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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