[发明专利]多栅极场效应晶体管的制造方法

摘要

本发明揭示了一种多栅极场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤，在基底上形成鳍状结构；形成第一牺牲层；在第一牺牲层中的鳍状结构旁形成焊垫结构；去除所述第一牺牲层，覆盖第二牺牲层；形成跨设于鳍状结构顶面和侧壁上的栅极，所述栅极同时与所述焊垫结构相连；去除所述第二牺牲层。所述多栅极场效应晶体管的制造方法通过分别利用第一牺牲层和第二牺牲层定义焊垫结构和栅极，降低了对窗口尺寸的要求，且在刻蚀并填充形成栅极时保护了鳍状结构及鳍状结构，保护源极区和漏极区中的顶角区域不受刻蚀损伤，从而形成了界面轮廓良好的鳍状结构，避免了穿通效应的发生，提高了多栅极场效应晶体管的性能。

主权项

一种多栅极场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成鳍状结构；在所述鳍状结构和所述基底上形成第一牺牲层；在所述鳍状结构旁的第一牺牲层中形成焊垫结构；去除第一牺牲层，并在所述鳍状结构、焊垫结构及基底上覆盖第二牺牲层；在所述第二牺牲层中形成跨设于鳍状结构顶面和侧壁上的、且与所述焊垫结构相连的栅极；去除第二牺牲层。