[发明专利]一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法有效
| 申请号： | 201110458250.6 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187291A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创 | 申请（专利权）人： | 立新半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 马埃维多利*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，再在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；并向沟槽顶部的侧壁注入N型掺杂剂，形成N型源区；然后，在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质和外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行金属插塞填充；最后，在器件的上表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线，采用本制备方法，省略了基区掩模和源区掩模的制备工序，使器件的制造成本得到了较大的降低；同时不会影响器件原有的电气特性，从而增加了器件的性能价格比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 沟槽 半导体 功率 分立 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，再在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；并向沟槽顶部的侧壁注入N型掺杂剂，形成N型源；(2)在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质和外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行金属插塞填充；(3)在器件的上表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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