[发明专利]具有改进排布方式的通孔阵列和具有该阵列的半导体器件有效
| 申请号： | 201110458372.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187390A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘煊杰;丁万春;魏琰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有改进排布方式的通孔阵列和具有该阵列的半导体器件。该通孔排布对在现有技术中的易于产生裂隙的通孔阵列进行了改进。至少一部分通孔排布被改动以提供减小的应力或减小的阵列尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 排布 方式 阵列 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有改进的通孔分布的半导体器件，在具有第一晶向的硅晶片中以第二晶向布置所述通孔阵列，所述通孔阵列被布置为以第一方向为行方向和以第二方向为列方向的阵列状，其特征在于：改变所述通孔阵列中的至少一部分的排布，使得在保持所述通孔阵列的面积大体上不变的情况下增大该部分中的通孔之间的距离。
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