[发明专利]液体处理装置及液体处理方法有效
申请号: | 201110459283.2 | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN102569133A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 高栁康治;木下尚文 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供液体处理装置及液体处理方法。即使提高基板的转速且以低排气量进行处理杯内的排气,也能够抑制排气气流的逆流,抑制雾沫再次附着于基板。该抗蚀剂涂敷装置在形成有下降气流的处理杯(33)中对旋转的晶圆(W)涂敷抗蚀液,其中,包括:上侧引导部(70),其在保持于处理杯(33)的旋转吸盘(31)上的晶圆(W)的外周附近,以隔着间隙包围该晶圆(W)的方式设置为环状,其内周面的纵截面形状向外侧鼓起地弯曲而向下方延伸;下侧引导部(45),其由从上述晶圆(W)的周缘部下方向外侧下方倾斜的倾斜壁(41)、和与该倾斜壁(41)连续且向下方垂直延伸的垂直壁(42)构成。 | ||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种液体处理装置,该液体处理装置在形成有下降气流的处理杯内一边使保持于基板保持部的基板旋转、一边对该基板进行液体处理,并且,从处理杯的下部吸引排出该处理杯内部的气氛气体且排出液体,其特征在于,该液体处理装置包括:喷嘴,其用于向保持于上述基板保持部的基板供给处理液;下侧引导部,其从与保持于上述基板保持部的基板的背面的周缘部接近且相对的位置起朝向外侧下方倾斜延伸,且在基板的周向上形成为环状;上侧引导部,其上端面位于与保持于上述基板保持部的基板的表面大致相同的高度,并且,在上侧引导部与上述下侧引导部之间形成用于将自基板飞散的处理液与气流一同向下方引导的下侧环状流路,且该上侧引导部以包围基板的外侧下方区域的方式与上述下侧引导部相对地形成为环状;外侧引导部,其以包围该上侧引导部且自该上侧引导部的外方侧跨至上方侧的方式配置,为了整流基板旋转时的气流,在该外侧引导部与该上侧引导部之间形成上侧环状流路;突出部,其为了使上述上侧环状流路在中途变狭窄而自外侧引导部的下表面朝向上述上侧引导部的上表面突出,且该突出部沿周向形成为环状;开口部,其形成于上述上侧引导部的下缘部,用于将通过上述上侧环状流路后的气流与通过上述下侧环状流路后的气流合流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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