[发明专利]磁性结、磁存储器及其方法有效
| 申请号： | 201110459298.9 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102544353B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | D.阿帕尔科夫;X.唐;V.尼基廷 | 申请（专利权）人： | 三星半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性结、磁存储器及其方法。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。非磁间隔层在被钉扎层与自由层之间。该磁性结被配置为使得当写入电流流经该磁性结时自由层可在多个稳定磁性状态之间转换。被钉扎层和自由层中的至少一个包括磁性子结构。该磁性子结构包括交插以至少一个插入层的至少两个磁性层。每个插入层包括Cr、Ta、Ti、W、Ru、V、Cu、Mg、铝氧化物和MgO中的至少一种。磁性层交换耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 磁存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种用于磁器件的磁性结，包括：被钉扎层；非磁间隔层；和自由层，该非磁间隔层在该被钉扎层与该自由层之间；其中该磁性结配置为使得当写入电流流经该磁性结时该自由层可在多个稳定的磁性状态之间转换；并且其中该被钉扎层和该自由层中的至少一个包括磁性子结构，该磁性子结构包括交插以至少一个插入层的至少两个磁性层，该至少两个磁性层交换耦合；其中该至少两个磁性层包括具有弱平面内各向异性能的第一磁性层和具有高垂直各向异性能的第二磁性层。
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