[发明专利]掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法有效

专利信息
申请号: 201110459372.7 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103186035A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 王辉;顾一鸣 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/50 分类号: G03F1/50;G03F7/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种掩膜板及其制作方法、光刻胶层的曝光方法,掩膜板包括透明基板,所述透明基板的预定区域具有掺杂离子,具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形;所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁;实现从低能级到高能级的跃迁后,所述掺杂离子在诱导光的照射下,产生发射光线,所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同,且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。本技术方案改变了传统的对光刻胶层进行曝光的方法,就避免了光线经过掩膜板时的衍射现象,无论图形的特征尺寸缩小到何种程度,均可以利用该掩膜板进行光刻胶层的曝光工艺。
搜索关键词: 掩膜板 及其 制作方法 光刻 曝光 方法
【主权项】:
一种掩膜板,其特征在于,包括:透明基板,所述透明基板的预定区域具有掺杂离子,具有掺杂离子的预定区域构成掩膜板上的图形;所述掺杂离子在泵浦光的照射下实现从低能级到高能级的跃迁;实现从低能级到高能级的跃迁后,所述掺杂离子在诱导光的照射下,产生发射光线,所述发射光线的波长、相位、振幅、传播方向均与所述诱导光相同,且所述发射光线的光强大于所述诱导光和泵浦光的光强。
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