[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110459412.8 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187448A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 倪景华;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中包括源/漏极；栅极结构，位于所述半导体衬底上；以及金属连线，用于将所述源/漏极栅极结构引出，引出所述源极或所述漏极的金属连线分别与所述栅极之间具有空气间隙。由于具有空气间隙，所述金属连线和所述栅极之间的寄生电容减小，从而改善了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中包括源/漏极；栅极结构，位于所述半导体衬底上；以及金属连线，用于将所述源/漏极引出，其特征在于，引出所述源极或所述漏极的金属连线分别与所述栅极结构之间具有空气间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110459412.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
