[发明专利]用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法有效
| 申请号： | 201110459495.0 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102530823A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | R·D·霍尔宁 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘春元;朱海煜 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于四层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)装置的系统和方法。在一个实施例中，一种系统包括第一双芯片，其包括第一基层；接合到第一基层的第一器件层，第一器件层包括第一组MEMS器件；以及接合到第一器件层的第一顶层，其中第一组MEMS器件被密封地隔离。该系统还包括第二双芯片，其包括第二基层；接合到第二基层的第二器件层，第二器件层包括第二组MEMS器件；以及接合到第二器件层的第二顶层，其中第二组MEMS器件被密封地隔离，其中第一顶层的第一顶表面接合到第二顶层的第二顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片级 mems 器件 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统(MEMS)装置，该装置包括：第一双芯片，其包括：第一基层(102)；接合到第一基层(102)的第一器件层(110)，第一器件层(110)包括第一组MEMS器件(222)；以及接合到第一器件层(110)的第一顶层(104)，其中第一组MEMS器件(222)被密封地隔离；以及第二双芯片，其包括：第二基层(108)；接合到第二基层(108)的第二器件层(112)，第二器件层(112)包括第二组MEMS器件(232)；以及接合到第二器件层(112)的第二顶层(106)，其中第二组MEMS器件(232)被密封地隔离，其中第一顶层(104)的第一顶表面接合到第二顶层(106)的第二顶表面。
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