[发明专利]具有平滑表面的半导体结构和用于获得该结构的处理有效
| 申请号： | 201110460207.3 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102629556A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | M·布鲁尔 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有平滑表面的半导体结构和用于获得该结构的处理。用于使半导体晶圆的表面平滑的处理包括通过利用熔融束扫描所述表面使所述表面熔融，其特征在于，所述处理包括：定义基准长度；调整所述熔融束的参数，从而在对所述表面的扫描期间，使所述晶圆的长度大于或等于所述基准长度的局部表面区域熔融，如此执行的熔融使得可以平滑所述表面，从而消除周期小于所述基准长度的表面粗糙度。本发明还涉及一种半导体晶圆，该半导体晶圆包括为了该目的由半导体材料制成的表面层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平滑 表面 半导体 结构 用于 获得 处理 | ||
【主权项】：
一种用于使半导体晶圆的表面平滑的处理，所述处理包括通过利用熔融束扫描所述表面使所述表面熔融，其特征在于，所述处理包括：定义基准长度；调整所述熔融束的参数，从而在对所述表面的扫描期间，使所述晶圆的长度大于或等于所述基准长度的局部表面区域熔融，如此执行的熔融使得可以平滑所述表面，从而消除周期小于所述基准长度的表面粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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