[发明专利]基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积无效
申请号: | 201110460421.9 | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102569512A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;B·R·墨菲;M·J·帕沃尔 | 申请(专利权)人: | 初星太阳能公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C16/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李强;谭祐祥 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积。提供了用于碲化镉薄膜光伏装置10的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备和过程。该设备100包括一系列一体地连接的室,例如连接到装载真空泵108上的装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。传送器系统104可操作地设置在设备100内,并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底10输送进入且输送通过装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128一体地连接,使得输送通过设备100的衬底10保持在小于大约760托的系统压力处。 | ||
搜索关键词: | 基于 碲化镉 模块 制造 中的 薄膜 一体化 | ||
【主权项】:
一种用于碲化镉薄膜光伏装置(10)的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备(100),所述设备(100)包括:连接到装载真空泵(108)上的装载真空室(106),所述装载真空泵(108)构造成将所述装载真空室(106)内的压力降低到初始装载压力;溅射淀积室(112);气相淀积室(128);以及,传送器系统(104),其可操作地设置在所述设备(100)内,并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底(10)输送进入且输送通过所述装载真空室(106),输送进入且输送通过所述溅射淀积室(112),以及输送进入且输送通过所述气相淀积室(128),其中,所述溅射淀积室(112)和所述气相淀积室(128)一体地连接,使得输送通过所述设备(100)的所述衬底(10)保持在小于760托的系统压力处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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