[发明专利]多粒度并行存储系统与存储器有效
| 申请号： | 201110460585.1 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102541774A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王东琳;谢少林;薛晓军;刘子君;张志伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院自动化研究所 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F12/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种支持行列多粒度并行读写的多粒度并行存储系统和存储器(300)，该存储系统包括读写端口(301)和存储器(300)，该存储器由W个存储块(305)和一个数据选通网络(302)构成，每个存储块(305)是由多个存储单元(303)构成的二维阵列，该二维阵列中的存储行(304)包含W个存储单元(303)，每个存储块一次可读写一个存储行(304)，其中W为2的n次方，n为自然数。本发明提出的存储系统可同时支持不同数据类型的矩阵行列数据并行读取，从而在根本上清除信号处理算法中转置操作的要求，提高信号处理算法执行效率。 | ||
| 搜索关键词： | 粒度 并行 存储系统 存储器 | ||
【主权项】：
一种多粒度并行存储系统，包括存储器读写端口(301)和存储器(300)，其特征在于：所述存储器读写端口(301)的位宽为W，W为2的n次方，n为自然数；该存储器(300)包括W个存储块(305)和一个数据选通网络(302)；所述存储块(305)的每一个均是由多个存储单元(303)构成的二维阵列，该二维阵列中的存储行(304)包含W个存储单元(303)；每个存储块(305)一次可读写一个存储行(304)。所述数据选通网络(302)根据读写地址和读写粒度g从W个存储块(305)中选择W个存储单元(303)作为读写对象，所述读写粒度g是指地址连续的存储单元的个数，并且g＝2k，k为自然数并满足0≤k≤K，K＝log2W。
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