[发明专利]氮化物半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110461299.7 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103178174A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 方彦翔;廖宸梓;胡智威;陈威佑;宣融 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建国;梁挥 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体结构及其制造方法，此结构包括基板、氮化物缓冲层、第一氮化物半导体层以及第一缺陷阻挡层。氮化物缓冲层位于基板上。第一氮化物半导体层位于氮化物缓冲层上。第一缺陷阻挡层位于第一氮化物半导体层与基板之间，其中第一缺陷阻挡层中具有多个纳米孔隙，纳米孔隙的分布密度为3.5×1013/cm2至8.4×1013/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体结构，包括：一基板；一氮化物缓冲层，位于该基板上；一第一氮化物半导体层，位于该氮化物缓冲层上；以及一第一缺陷阻挡层，位于该第一氮化物半导体层与该基板之间，其中该第一缺陷阻挡层中具有多个纳米孔隙，所述纳米孔隙的分布密度为3.5×1013/cm2至8.4×1013/cm2。
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