[发明专利]存储元件和存储装置无效
| 申请号： | 201110461332.6 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102592657A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及存储元件和存储装置，该存储元件包括：存储层，该存储层具有与膜表面垂直的磁化，该磁化的方向随信息发生变化；磁化固定层，该磁化固定层具有与膜表面垂直的磁化，该膜表面用作为存储在该存储层中的信息的基体；以及非磁性物质的绝缘层，该绝缘层设置在该存储层与该磁化固定层之间，其中通过使用沿层结构的层叠方向流动的电流所产生的自旋力矩磁化反转来使该存储层的磁化发生反转以存储信息，该层结构包括该存储层、该绝缘层和该磁化固定层，以及该存储层具有包括磁性层和导电氧化物的层叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，所述存储元件包括：存储层，所述存储层具有与膜表面垂直的磁化，所述磁化的方向随信息发生变化；磁化固定层，所述磁化固定层具有与膜表面垂直的磁化，所述膜表面用作为存储在所述存储层中的信息的基体；以及非磁性物质的绝缘层，所述绝缘层设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中通过使用沿层结构的层叠方向流动的电流所产生的自旋力矩磁化反转来使所述存储层的所述磁化发生反转以存储信息，所述层结构包括所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层，以及所述存储层具有包括磁性层和导电氧化物的层叠结构。
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