[发明专利]包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201110461343.4 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102544028A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 林训;金大焕;崔秉国;李瑟 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开一种包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板，其用于平板显示设备。所述薄膜晶体管基板包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于平板显示设备的薄膜晶体管基板，该设备包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
