[发明专利]原位自生莫来石晶须增强钛酸铝多孔陶瓷材料及制备方法有效
| 申请号： | 201110461794.8 | 申请日： | 2011-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102584313A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 徐国纲;崔洪芝;阮国智;张智慧;曾荣昌 | 申请（专利权）人： | 山东科技大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266590 山东省青岛经*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种原位自生莫来石晶须增强钛酸铝多孔陶瓷材料及制备方法，它是以α-氧化铝、拟薄水铝石、二氧化钛、硅微粉为主要原料，并添加氟化铝以及防止钛酸铝分解的稳定剂，粉体原料直接湿法球磨混合后，干燥造粒，采用干压成型，通过一步法直接原位合成的，合成后的多孔陶瓷材料是在钛酸铝基体材料中均匀穿插有原位合成的自生莫来石晶须增强相。由于莫来石晶须是原位合成，晶须均匀穿插于多孔陶瓷材料的空隙之间，很好的起到了对钛酸铝多孔陶瓷的增强作用，本发明为实现钛酸铝多孔陶瓷材料在工业高温烟气过滤及机动车尾气净化处理中的应用打下良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 自生 莫来石晶须 增强 钛酸铝 多孔 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种原位自生莫来石晶须增强钛酸铝多孔陶瓷材料，其特征在于，它是在钛酸铝基体材料中均匀穿插有原位合成的自生莫来石晶须增强相，莫来石在体系中的质量百分比为10～40％，自生莫来石晶须的长度为5～20μm；这种多孔陶瓷材料的空隙率为37～60％，抗压强度10MPa～48MPa。
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