[发明专利]修改基底以在其中形成通路孔的方法和相关制品有效
申请号: | 201110461800.X | 申请日: | 2011-12-23 |
公开(公告)号: | CN102528413A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | R·S·班克;魏斌;H·齐 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | B23P17/00 | 分类号: | B23P17/00;C23C24/10;F02C7/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李强;杨楷 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种修改基底以在其中形成通路孔的方法和相关制品。描述了一种用于在高温基底(64)中形成至少一个通路孔(100)的方法。对于各个所需通路孔或一组通路孔,首先通过激光熔凝工艺在基底(64)的外表面(62)上形成结(60)。该结用作用于各个通路孔(100)的预选入口区域。然后可形成穿过结(60)且进入基底(64)的通路孔(100)。还描述了相关制品,例如涡轮发动机部件。 | ||
搜索关键词: | 修改 基底 其中 形成 通路 方法 相关 制品 | ||
【主权项】:
一种用于在高温基底(64)中形成至少一个通路孔(100)的方法,包括下列步骤:a)对于各个通路孔或对于一组通路孔,通过激光熔凝工艺在所述基底(64)的外表面(84)上形成结(80);其中所述结包括上表面(83),并且被定位为用于所述通路孔(100)或用于所述一组通路孔的预选入口区域;b)在所述基底(84)的所述外表面上施加保护涂层系统(68);其中所述涂层系统包括至少一个下面的金属层和一个上面的陶瓷层;以及c)形成穿过各个结(80)且进入所述基底(64)的所述通路孔(100)或一组通路孔;同时所述结(80)的所述上表面(83)基本上没有所述涂层系统(68)。
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