[发明专利]一种具有搭桥晶粒结构的多晶硅薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110461884.7 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103779391A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;王文 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅薄膜，其中薄膜中具有平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒。本发明还提供一种制备多晶硅薄膜的方法，包括：1)形成多晶硅薄膜；2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 搭桥 晶粒 结构 多晶 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜，其中薄膜中具有平行的导电带或导电线，所述导电带或导电线连接多个晶粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东中显科技有限公司，未经广东中显科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110461884.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种低屈强比高塑性钢
- 下一篇：基于客户端的停车付费方法
- 同类专利
- 专利分类
