[发明专利]用于制造由磁场激励的微开关的方法有效

专利信息
申请号: 201110461939.4 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN102543522A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 亨利·席卜耶特;亚尼克·优乐美特 申请(专利权)人: 法国原子能源和替代能源委员会
主分类号: H01H11/00 分类号: H01H11/00;H01H36/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;王颖
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明关于一种在平面衬底上制造由磁场激励的微开关的方法,所述方法包含:a)蚀刻步骤(42),以在所述平面衬底的上表面中蚀刻用来形成两条带的凹的模型的空腔,所述空腔具有垂直侧面,所述垂直侧面垂直于所述衬底的所述平面延伸以形成所述带的垂直表面;b)填充步骤(50),以通过磁性材料来填充所述空腔以形成所述带;接着c)蚀刻步骤(62),以通过各向同性的蚀刻方法在所述衬底中蚀刻井,所述井在所述带的所述垂直表面上延伸并且低于及包围所述带中至少一条的一个远端,以展开所述带之间的空气间隙并使所述远端能在封闭的位置与开放的位置之间运动。
搜索关键词: 用于 制造 磁场 激励 开关 方法
【主权项】:
一种在平面衬底上制造由磁场激励的微开关的方法,其特征在于所述方法包含:a)蚀刻步骤(42),以在所述平面衬底的上表面中蚀刻用来形成两条带的凹的模型的空腔,所述空腔具有垂直侧面,所述垂直侧面垂直于所述衬底的所述平面延伸以形成所述带的垂直表面,接着b)填充步骤(50),以通过磁性材料来填充所述空腔以形成所述带,接着c)蚀刻步骤(62),以通过各向同性的蚀刻方法在所述衬底中蚀刻井,所述井在所述带的所述垂直表面上延伸并且低于及包围所述带中至少一条的一个远端,以展开所述带之间的空气间隙并使所述远端能在以下位置之间运动:封闭的位置,其中所述两条带的所述垂直表面直接地相互机械接触以使电流流通,及开放的位置,其中所述垂直表面通过所述空气间隙相互分离以使一条带与另一条带电绝缘。
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