[发明专利]一种高导电率石墨烯的制备方法有效
| 申请号： | 201110462502.2 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103172055A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘刚桥;孙培育;吴祯祺;吴刚 | 申请（专利权）人： | 东丽纤维研究所(中国)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电率石墨烯的制备方法，属于纳米石墨导电材料领域。包括以下步骤：将低氧化程度的氧化石墨分散在含有芳香醇的溶剂中，得到低氧化程度的氧化石墨烯分散液，对该分散液进行溶剂热还原，制备得到高导电率石墨烯；其中，低氧化程度的氧化石墨中氧元素和碳元素的摩尔比例小于1∶2；该低氧化程度的氧化石墨的X射线衍射谱图中没有石墨的特征衍射峰。本发明中的石墨烯制备方法具有快速、高效、无毒害的特点。本发明中的石墨烯具有导电率高，可应用于电池材料、储能材料、电子器件、导电/导热材料、电磁屏蔽材料、抗静电材料等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 石墨 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高导电率石墨烯的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：将低氧化程度的氧化石墨分散在含有芳香醇的溶剂中，得到低氧化程度的氧化石墨烯分散液，对该分散液进行溶剂热还原，制备得到高导电率石墨烯；其中，低氧化程度的氧化石墨中氧元素和碳元素的摩尔比例小于1∶2；该低氧化程度的氧化石墨的X射线衍射谱图中没有石墨的特征衍射峰。
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