[发明专利]光酸发生剂在审
申请号: | 201110463187.5 | 申请日: | 2011-11-30 |
公开(公告)号: | CN102617430A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | J·W·撒克里;S·M·科利;J·F·卡梅伦;P·J·拉博姆;O·昂格伊;V·杰恩;A·E·麦德考尔 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
主分类号: | C07C381/12 | 分类号: | C07C381/12;C07C309/06;C07C303/32;G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈哲锋 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 光酸发生剂。一种以式(I)所示的光酸发生剂化合物:G+Z-(I),其中G具有式(II)(II),其中在式(II)中,X是S或I,每个R0通常连接到X,且独立的为C1-30烷基;多环或单环C3-30环烷基;多环或单环C6-30芳基;或包括前述至少之一的组合,G具有大于263.4g/mol的分子量,或G具有小于263.4g/mol的分子量,且一个或多个R0基团进一步连接到相邻的R0基,a是2或3,其中当X是I时,a是2,或当X是S时,a是2或3,且式(I)中的Z包括磺酸阴离子、磺酰亚胺或磺胺。光致抗蚀剂和涂敷薄膜也包括光酸发生剂和聚合物,以及使用所述光致抗蚀剂的电子设备的形成方法。 | ||
搜索关键词: | 发生 | ||
【主权项】:
1.一种以式(I)所示的化合物:G+Z- (I)其中G具有式(II):其中在式(II)中,X是S或I,每个R0共同连接到X,且独立的为C1-30烷基;多环或单环C3-30环烷基;多环或单环C6-30芳基;或包括前述至少之一的组合,G具有大于263.4g/mol的分子量,或G具有小于263.4g/mol的分子量,且一个或多个R0基团进一步连接到相邻的R0基,a是2或3,其中当X是I时,a是2,或当X是S时,a是2或3,且式(I)中的Z包括磺酸阴离子、磺酰亚胺或磺酰胺。
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