[实用新型]一种高频复合介质覆铜箔基片无效
| 申请号： | 201120003132.1 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN201979757U | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 倪新军 | 申请（专利权）人： | 倪新军 |
| 主分类号： | B32B15/085 | 分类号： | B32B15/085;B32B15/20;B32B27/06;B32B27/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225326 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高频复合介质覆铜箔基片，它包括介质模块(1)，在介质模块(1)的一面设有铜箔层(3)，所述介质模块(1)与铜箔层(3)之间设有聚四氟乙烯PP膜(2)；在介质模块(1)的另一面设有复合介质材料层(4)，复合介质材料层(4)上设有铜箔层(3)，所述复合介质材料层(4)与铜箔层(3)之间设有聚四氟乙烯PP膜(2)。本实用新型提供的高频复合介质覆铜箔基片能满足不同行业对微波高频电路提出的特殊阻抗和介电常数要求，当应用频率低于1GHz、温度接近玻璃温度时介质材料不会分层，具有良好的结合力，优异的性能和非常稳定的化学性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 复合 介质 铜箔 | ||
【主权项】：
一种高频复合介质覆铜箔基片，其特征是它包括介质模块(1)，在介质模块(1)的一面设有铜箔层(3)，所述介质模块(1)与铜箔层(3)之间设有聚四氟乙烯PP膜(2)；在介质模块(1)的另一面设有复合介质材料层(4)，复合介质材料层(4)上设有铜箔层(3)，所述复合介质材料层(4)与铜箔层(3)之间设有聚四氟乙烯PP膜(2)。
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