[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201120015357.9 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN202285234U | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 守山佳;玉木秀一;迫修一;郡充秀;五岛润治;泽田达也 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/535;H01L21/3205;H01L21/68;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置，其包括：层间绝缘膜；由绝缘材料构成，且形成在所述层间绝缘膜上的钝化膜；由以铜为主成分的材料构成，且在所述层间绝缘膜的表面与所述钝化膜之间形成的最上层配线；由以铝为主成分的材料构成，且设置在所述钝化膜与所述最上层配线的表面之间，并覆盖所述最上层配线的表面的配线覆盖膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
半导体装置，其特征在于，具备：层间绝缘膜；钝化膜，其由绝缘材料构成，且形成在所述层间绝缘膜上；最上层配线，其由铜构成，且形成在所述层间绝缘膜的表面与所述钝化膜之间；配线覆盖膜，其由Al、AlSi、AlSiCu及AlCu中的一种材料构成，且设置在所述钝化膜与所述最上层配线的表面之间，并覆盖所述最上层配线的表面。
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